Llevellyn |
Отправлено: 12 Августа, 2007 - 17:04:17
|
Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006
Откуда: Пермь
|
Какими свойствами, помимо высокого максимального тока, должны обладать IGBT транзисторы для гауссгана? Я нашёл пару вариантов в интернет-магазине Платан
http://www.platan.ru/shop/
IRG4BC40F (PDF, 172.0 KB) http://www.platan.ru/pdf/datashe...ir/IRG4BC40F.pdf
600в, 49А, 200А имп., 8кгц
Цена 65р
IRG4PH50U (PDF, 137.4 KB) http://www.platan.ru/pdf/datashe...ir/IRG4PH50U.pdf
1200в, 45А, 180А имп., 75кгц
Цена 74р, 59.30р за 25 шт
IRG4PC50UPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц TO-247AC
Цена 86р/77.5р за 25
|
|
|
Дмитрий |
Отправлено: 13 Августа, 2007 - 17:52:55
|
Сообщений всего: 115
Дата рег-ции: Нояб. 2006
|
Llevellyn пишет:Какими свойствами, помимо высокого максимального тока, должны обладать IGBT транзисторы для гауссгана?
В данном случае (гаусс) интересуют именно те параметры, которые Вы выписали. Т.е. напряжение и импульсный ток. В принципе, то что Вы нашли - оно все неплохое, подходящее для данного применения, но однозначно их потребуется устанавливать по 2-3 шт. на каскад, так как токи при использовании напряжения в 500-600 В будут порядка 400 А. А так оно и будет, если расчитывать катушку с точки зрения максимальной ее энергоемкости. |
|
|
fantom |
Отправлено: 17 Августа, 2007 - 17:41:54
|
Сообщений всего: 307
Дата рег-ции: Сент. 2006
|
Llevellyn пишет:Какими свойствами, помимо высокого максимального тока, должны обладать IGBT транзисторы для гауссгана? Я нашёл пару вариантов в интернет-магазине Платан
http://www.platan.ru/shop/
(PDF, 172.0 KB) http://www.platan.ru/pdf/datashe...ir/IRG4BC40F.pdf
600в, 49А, 200А имп., 8кгц
Цена 65р
IRG4PH50U (PDF, 137.4 KB) http://www.platan.ru/pdf/datashe...ir/IRG4PH50U.pdf
1200в, 45А, 180А имп., 75кгц
Цена 74р, 59.30р за 25 шт
IRG4PC50UPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц TO-247AC
Цена 86р/77.5р за 25
Скоростью включения, например IRG4BC40F не подойдёт слишком тормозной. |
|
|
Evgeny |
Отправлено: 18 Августа, 2007 - 00:13:02
|
Администратор
Сообщений всего: 2395
Дата рег-ции: Нояб. 2005
Откуда: Псков
|
W пишет:Цитата:Скоростью включения, например IRG4BC40F не подойдёт слишком тормозной.
Интересно, я думаю скорость вкл. IGBT на порядок быстрее, чтоб заморачиваться этим параметром в Гауссах, ведь длительности во включенном состоянии исчисляются сотнями микросекунд и даже единицами миллисекунд. Неверное, не совсем так. При открытии транзистора, из-за индуктивного характера нагрузки, сила тока будет нарастать сравнительно медленно. Потому требования к быстрому открытию ключа не слишком высокие. А вот в момент закрытия транзистора, через него идёт уже ток полной силы, причём транзистор из соображений экономии будет скорее всего выбран без запаса по току. То есть обрывать ток силой в полтора-два раза выше предельно допустимого значения постоянного тока для транзистора - обычный режим для ускорителя. При этом неторопливое закрытие транзистора недопустимо, так как его работа должна быть именно в ключевом режиме, а не в линейном. Иначе в полуоткрытом состоянии на транзисторе будет одновременно и большое падение напряжения, и ток большой силы - будет превышена допустимая мощность. Например при скромном токе 100 Ампер и падении напряжения на закрывающемся транзисторе 100 Вольт, мгновенная мощность составит около 10 килоВатт. Скорее всего кристалл транзистора вряд-ли выдержит такой тепловой удар, пусть и кратковременный. Потому закрывать транзистор нужно побыстрее.
При закрытии на ключе возникнет высоковольтный импульс самоиндукции. При быстром закрытии импульс самоиндукции будет иметь крутой фронт. Потому цепь подавления этого импульса также должна быть быстродействующей, а монтаж желательно выполнить проводами покороче.
----- Евгений В. |
|
|
Llevellyn |
Отправлено: 18 Августа, 2007 - 21:18:49
|
Сообщений всего: 97
Дата рег-ции: Авг. 2006
Откуда: Пермь
|
Цитата:Потому цепь подавления этого импульса также должна быть быстродействующей,
Евгений, что вы имеете ввиду под этой цепью? |
|
|
Evgeny |
Отправлено: 18 Августа, 2007 - 22:26:35
|
Администратор
Сообщений всего: 2395
Дата рег-ции: Нояб. 2005
Откуда: Псков
|
Llevellyn пишет:Цитата:Потому цепь подавления этого импульса также должна быть быстродействующей,
Евгений, что вы имеете ввиду под этой цепью? Что угодно, что сможет защитить транзисторный ключ от перенапряжения: варистор, супрессор, цепочка RC-D или просто конденсатор. То есть то, что может ограничить напряжение на допустимом уровне на время, достаточное для открытия диода обходной цепи. Дальше энергия погасится в обходной цепи или направится обратно в конденсатор при полумостовой схеме. Но пока всё это дело, мощное, и как следствие, довольно медленное, откроется, и обходной путь заработает, быстродействующая защитная цепочка должна временно принять выброс самоиндукции на себя. Также, как и в обратноходовом преобразователе. Там тоже, если бы выпрямительный диод открывался мгновенно и трансформатор имел 100% связь между обмотками, импульсов самоиндукции на транзисторе не возникало бы. Но на практике всё не идеально, мощные высоковольтные диоды открываются не мгновенно, и это требует всяких защитных мер: дополнительных снабберных цепей. Так как защитные цепи работают очень короткое время, пока не заработает основная цепь, то их мощность может быть сравнительно невелика. А при малой мощности получить высокое быстродействие проще и дешевле.
----- Евгений В. |
|
|
|